长鑫第六代DRAM平台完成工程样片验证，用上4F²架构

内存涨价的大背景下，国内存储厂商长鑫科技报了一个技术进展。

10月31日晚的三季度业绩交流会上，长鑫表示基于4F²垂直沟道架构的第六代工艺技术平台已经完成工程样片验证。这也是它第一次公开确认第六代平台用的是4F²架构。

4F²是什么？简单说，它描述的是单个存储单元占用的面积。目前主流DRAM用的是6F²布局，改成4F²后，单元面积理论上能缩小约三分之一，同样大小的晶圆能做出更多容量。实现的关键是把晶体管从平躺改成竖着放，也就是垂直沟道。

三星和SK海力士都已经把4F²列为10纳米级以下的关键技术方向，长鑫这次率先完成了工程样片验证。

工程样片验证和量产之间还隔着良率、成本、可靠性好几道关。不过长鑫此前也给了时间表：预计年底面向服务器领域推出融合4F²技术的新一代DDR5 RDIMM。

这和AI的关系很直接。数据中心对内存的需求正在吃掉全球大量产能，三星、海力士把产线往HBM倾斜，普通DDR5供应跟着紧张。国产厂商如果能在服务器内存上拿出有竞争力的产品，对国内AI基础设施的供应安全是实打实的补充。