英伟达统一HBM底座工艺，三星首次让台积电代工HBM基础芯片

三星和台积电在 HBM 上合作，这放在一年前很难想象。

消息人士称，三星电子将用台积电的3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基础芯片。这是两家公司第一次在 HBM 的制造环节联手。

推动这件事的是英伟达。

知情人士透露，英伟达已经要求三星、SK 海力士和美光三家内存厂，都用台积电的工艺来做 NVHBM 的基础芯片，核心芯片则统一用第六代 DRAM 技术。三星内部评估之后接受了这个要求，但计划保留自家生产模式，用来做标准 HBM 和给其他客户的定制产品。

先解释一下 HBM 的结构。它是把多层 DRAM 芯片垂直堆起来，最底下垫一块基础芯片，负责和 GPU 之间的数据交换和控制。过去这块底座多由内存厂自己生产，现在越来越多逻辑功能被塞进去，对制程的要求也越来越接近逻辑芯片。

英伟达8月发布的 NVHBM，就是把自家定制的内存控制器直接集成进基础芯片里，目的是让不同内存供应商的产品能按同一套标准实现。

换个角度看，这是英伟达在把 HBM 供应链的话语权往自己这边收。

底座统一由台积电生产、控制器是英伟达自己的设计，三家内存厂的差异就主要剩在 DRAM 堆叠这一层。对英伟达来说，供应商之间更容易替换，议价空间也更大；对内存厂来说，在英伟达这块最大的订单上，可以自主发挥的部分变少了。

三星的处境尤其微妙。它自己就有晶圆代工业务，本可以从底座到堆叠一手包办，现在却要把英伟达这部分的基础芯片交给竞争对手台积电。保留内部生产线做标准品和其他客户，算是给自家代工业务留了条后路。